Operativ yaddaş

tarix	27.06.2016
ölçüsü	54.5 Kb.

Operativ yaddaş

Operativ yaddaş - kompüterin vacib elementlərindən biridir. Prosessor proqramları məhz buradan alır və alınmış nəticələri də bura yazır. Bu yaddaş ona görə operativ adlanır ki, o, çox sürətlə işləyir və prosessora verilənləri yaddaşdan oxumağa və ya ora yazmaq praktik olaraq gözləmək lazım gəlmir. Lakin bu yaddaşdakı informasiya, kompüterin işlədiyi müddətdə saxlanılır. Kompüter söndürülərkən, bu yaddaşdakı məlumatlar silinir.

Kompüterin operativ yaddaşı

Kompüterin operativ yaddaşının həcmindən asılı olaraq müəyyən etmək olar ki, bu kompüterdə hansı proqramlarından istifadə etmək olar. Bu yaddaşın həcmi kifayət qədər böyük olmadıqda, bir çox proqramlar, bu kompüterdə işləməyəcək və ya çox az sürətlə işləyəcəkdir. Aşağıda kompüterdə operativ yaddaşın həcmindən asılı olaraq, hansı proqramlardan istifadə etməyin mümkün olduğu göstərilir:

1 Mbayt və daha az - kompüterdə yalnız DOS əməliyyat sisteminin mühitində işləmək mümkündür. Belə kompüterlərdən yalnız mətnlərin və ya verilənlərin yığılmasında istifadə etmək olar.
4 Mbayt - kompüterdə DOS, Windows 3.1 və Windows for Work Groups əməliyyat sistemlərindən istifadə etmək olar. Burada DOS sistemində iş rahat gedəcək. Digər sadalanan sistemlərdə isə proqramların iş sürəti böyük olmayacaq.
8 Mbayt - Windows 3.1 və Windows for Work Groups sistemlərindən rahat istifadə etmək mümkün olacaq. Digər yeni sistemlərdə isə burada iş məsləhət bilinmir.
16 Mbayt - ən yeni Windows 95 və OS/2 sistemlərində rahat iş tə’min edilir.
32 Mbayt və daha çox - bu cür kompüterlərdən lokal kompüter şəbəkələrində, fototəsvirlər və videofilmlər ilə iş üçün və Windows NT əməliyyat sistemində iş üçün istifadə olunur.

Yaddaş modulları və onları xarakterizə edən göstəricilər

Fiziki olaraq iki tip yaddaş movcuddur- statik və dinamik yaddaş. Statik yaddaş tranzistorlardan istifadə olinmaqla hazırlanır və nə qədər ki, elektrik enerjisi kəsilməyib o, öz vəziyyətini saxlayır. Buna misal triqqerlər üzərində qurulmuş yaddaşı göstərmək olar. Bu tip yaddaşın səciyyəvi xüsusiyyəti onun yüksək oxunma-yazılma sürətinə malik olmasıdır. Statik yaddaşın sürətini məhdudlaşdıran amil onu təşkil edən aktiv elementlərin (tranzistorlatrın) bir dayanıqlı vəziyyətdən digərinə keçmə sürətidir. Statik yaddaşda bir baytı təşkil edən elektron elementlərin sayının nisbətən çox olması onun daha baha başa gəlməsinə səbəb olur. Bu tip yaddaşdan kəş kimi istifadə olunsa da, onun daha böyük tutum tələb olunan operativ yaddaşda istifadə olunması iqtisadi baxımdan səmərəli deyil.

Dinamik yaddaşın isə iş prinsipi kondensatorun dolması və müəyyən zaman parçasında elektrik yükünü özündə saxlamasına əsaslanır. Ardıcıl düzülmüş kiçik tutumlu kondensatorlar dinamik yaddaşın prototipini təşkil edir. Təbii ki, kondensatorların tutumu çox kiçik olduğundan elektrik yükünün saxlanması müddəti də çox kiçik olacaq. Bu da informasiyanın saxlanma müddətinin çox kiçik olması anlamına gəlir. Bu zaman dolmuş kondensatorlar məntiqi “1”-i, boş kondensatorlar isə məntiqi “0”-ı ifadə etmiş olacaqlar. Təbii ki, dinamik yaddaşda informasiyanın daim saxlanması üçün xüsusi mexanizm- bərpa (Refresh) mexanizmi nəzərdə tutulmalıdır. Bu mexanizmin funksiyası yaddaşın periodik olaraq oxunub yenidən yazılmasından (bərpasından) ibarətdir. Dinamik yaddaş mikrosxemləri üzərində qurulan operativ yaddaşın bərpası zamanı mərkəzi prosessorun yaddaşa müraciəti mümkün olmur. O, bu zaman bərpa prosesinin başa çatmasını gözləməlidir. Buna görə də dinamik yaddaşla iş sürəti nisbətən aşağı olur. Dinamik yaddaşları xarakterizə edən bir neçə parametr mövcuddur ki, bunlara ümumi olaraq yaddaşın zamanlanması və ya yaddaşın tayminqi deyirlər. Ümumiyyətlə, yaddaşla bir əməliyyat (oxuma/yazma) bir neçə mərhələdən ibarətdir. Kontrollerin bu mərhələlərə ayırdığı zaman parçalarına yaddaşın tayminqi deylilir.

Yaddaşın fiziki strukturu müəyyən sayda sətir və sütünlardan ibarətdir. Hər belə “massiv” Səhifə, səhifələr toplusu isə Bank adlanır. Yaddaşa müraciət zamanı kontroller bankın, həmin bankda səhifənin, sətir və sütunun nömrəsini göstərməlidir. Bütün bu sorğulara və xüsusilə oxuma/yazmadan sonra bankın açılıb bağlanmasına müəyyən zaman sərf olunur. Bütün bu əməliyyatlara sərf olunan ümumi zaman tayminq adlanır.

İndi tayminqin tərkib hissələri:

RCD (RAS-to-CAS Delay). Bu, RAS (Row Address Strobe) və CAS (Column Address Strobe) siqnalları arasındakı zamandır. Bu parametr, kontrollerin yaddaş şininə RAS# и CAS# siqnallları ilə müraciət zamanı siqnalllar arasındakı intervaldır.
CAS Latency (CL). Bu, oxuma əmri ilə ilk sözün oxunmasına icazə arasındakı zamandır. Bu parametri kiçik olan yaddaş daha sürətlə işləyir. Lakin, bu ədədin daha kiçik qoyulması yaddaşın etibarlı bərpasını şübhə altına salır. Məsələn, CAS Latency 2, məlumatların Read əmrindən yalnız iki taktdan sonra alına biləcəyini göstərir.
RAS Precharge (RP). Bu RAS# siqnalının təkrar verilməsi üçün perioddur. Bu period ərzində yaddaşda yüklənmə gedir. Yəni, parametr kontrollerin növbəti RAS# siqnalını (sətir ünvanının inisializasiyası siqnalı) hansı zamandan sonra verə biləcəyini göstərir. Beləliklə, əməliyyatlar ardıcıllığı məhz belə gedir: RCD-CL-RP. Ancaq, bəzən tayminqi ardıcıllığına görə deyil, onun “əhəmiyyətinə” görə göstərirlər- CL-RCD-RP.
Precharge Delay (və ya Active Precharge Delay; bəzən isə “Tras” kimi göstərirlər). Bu, sətirin aktiv olma müddətini göstərir (yəni, sətirin bağlanması zamanına düşən period). Bu parametrin qiyməti adətən 2, 3 və ya 4 такта bərabər olur.
SDRAM Idle Timer (və ya SDRAM Idle Cycle Limit) səhifənin açıq olması zamanı takt sayını göstərir. Bundan sonra səhifə məcburi olaraq, ya digər səhifəyə müraciət etmək üçün, ya da yenilənmə (refresh) üçün bağlanır.
Burst Length müraciət olunan ünvandan başlayaraq buferə köçürüləcək yaddaş həcmini göstərir. Bu yaddaşın yenilənməsi və ya digər qadağa halında prosessorun köçürülmüş informasiyadan istifadə etməklə fəaliyyətini davam etdirməsini təmin edir. Aydındır ki, bu parametrinin qiyməti yüksək olan yaddaşın məhsuldarlığı da yüksək olacaq.